Инвентаризация:27665

Технические детали

  • Пакет/кейс 6-UDFN Exposed Pad
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 62mOhm @ 4.5A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 1.8W (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика U-DFN2020-6 (Type F)
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 4.5 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 228 pF @ 50 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO

Инвентаризация: 11414

MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020

Инвентаризация: 0

IC GATE XOR 4CH 2-INP 14TSSOP

Инвентаризация: 3780

Top