Инвентаризация:15978

Технические детали

  • Пакет/кейс 6-UDFN Exposed Pad
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2.9A (Ta), 5.7A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 120mOhm @ 2.9A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 2W (Ta), 7.5W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика DFN2020MD-6
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 3.6 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 113 pF @ 20 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 60V 6A 6DFN

Инвентаризация: 99373

MOSFET P-CH 60V 3A/8A 6DFN

Инвентаризация: 35805

MOSFET N-CH 40V 8A DFN2020MD-6

Инвентаризация: 2584

MOSFET N-CH 40V 190A LFPAK56

Инвентаризация: 3871

MOSFET N-CH 50V 200MA SST3

Инвентаризация: 0

Top