Инвентаризация:100873

Технические детали

  • Пакет/кейс 6-UDFN Exposed Pad
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 6A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 44mOhm @ 6A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 2.8W (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 6-DFN (2x2)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 12 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 426 pF @ 30 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 60V 13A/40A TO252

Инвентаризация: 119834

MOSFET N-CH 100V 5A/12.5A 8DFN

Инвентаризация: 105460

MOSFET N-CH 60V 4A/11A 6DFN

Инвентаризация: 110508

MOSFET N-CH 150V 10A/45A POWER56

Инвентаризация: 9387

TRANS NPN 40V 0.2A SOT23

Инвентаризация: 2310046

IC GATE AND 4CH 2-INP 14WQFN

Инвентаризация: 3601

Top