Инвентаризация:28283

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 270mA (Ta), 330mA (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 2.8Ohm @ 200mA, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.1V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика TO-236AB
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 1 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 23.6 pF @ 10 V

Сопутствующие товары


MOSFET P CH 30V 4.5A TSOT26

Инвентаризация: 14470

BJT SOT23 40V NPN 0.35W 150C

Инвентаризация: 0

TRANS NPN 40V 0.2A SOT23-3

Инвентаризация: 0

TRANS NPN 40V 0.2A SOT23-3

Инвентаризация: 15332

TRANS NPN 40V 200MA SOT23-3

Инвентаризация: 0

TRANS NPN 40V SOT23

Инвентаризация: 21000

SMALL SIGNAL TRANSISTOR

Инвентаризация: 55

200MA SILICON NPN EPITAXIAL PLAN

Инвентаризация: 223595

TRANSISTOR, SMALL SIGNAL, NPN, 4

Инвентаризация: 29620

SOT-23, 60V, 0.2A, NPN BIPOLAR T

Инвентаризация: 0

Top