Инвентаризация:3811

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerVDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 12.4A (Ta), 47A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 8.8mOhm @ 20A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 1W (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика V-DFN3333-8 (Type B)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 20.2 nC @ 4.5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2309 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V PWRDI5060

Инвентаризация: 4138

MOSFET N-CH 100V PWRDI3333

Инвентаризация: 37110

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33

Инвентаризация: 0

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33

Инвентаризация: 2000

Top