Инвентаризация:3121

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 11.7A (Ta), 76A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 11mOhm @ 9.8A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 1.3W (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PowerDI5060-8
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 52 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2747 pF @ 20 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 40V 8.5A PWRDI5060-8

Инвентаризация: 18753

MOSFET P-CH 40V 50A PWRDI5060-8

Инвентаризация: 2400

MV8 P INITIAL PROGRAM

Инвентаризация: 2687

MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN

Инвентаризация: 5429

PCH -40V -35A, HSMT8, POWER MOSF

Инвентаризация: 8486

DIODE ZENER 7.5V 500MW SOD123

Инвентаризация: 4586

Top