Технические детали

• Пакет/кейс TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
• Тип монтажа Through Hole
• Тип транзистора PNP - Darlington
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 1V @ 100µA, 100mA
• Ток-отсечка коллектора (макс.) 100nA (ICBO)
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 30000 @ 20mA, 2V
• Частота – переход 200MHz
• Пакет устройств поставщика TO-92-3
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 1 A
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 30 V
• Мощность - Макс. 625 mW