Технические детали

• Пакет/кейс TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
• Тип монтажа Through Hole
• Тип транзистора PNP
• Рабочая Температура 150°C (TJ)
• Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 500mV @ 200mA, 2A
• Ток-отсечка коллектора (макс.) 100nA (ICBO)
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 40 @ 2A, 2V
• Частота – переход 75MHz
• Пакет устройств поставщика TO-92-3
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 2 A
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 60 V
• Мощность - Макс. 625 mW