Инвентаризация:88446

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 1.3A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 180mOhm @ 1.3A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 500mW (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика SOT-23-3
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±25V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 1.9 nC @ 4.5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 150 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3

Инвентаризация: 79267

MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3

Инвентаризация: 618578

MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56

Инвентаризация: 3190

MOSFET 2N-CH 30V 13A/24A 8PQFN

Инвентаризация: 3556

MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3

Инвентаризация: 86946

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Инвентаризация: 34628

MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3

Инвентаризация: 32559

MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3

Инвентаризация: 12315

MOSFET N-CH 30V 11A 8SO

Инвентаризация: 3853

Top