Технические детали

• Пакет/кейс TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
• Тип монтажа Through Hole
• Тип транзистора NPN
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 750mV @ 50mA, 500mA
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 1V
• Частота – переход 250MHz
• Пакет устройств поставщика TO-92
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 40 V
• Мощность - Макс. 600 mW