Инвентаризация:36436

Технические детали

  • Пакет/кейс Die
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 1.7A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 25mOhm @ 3A, 5V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 1.5mA
  • Пакет устройств поставщика Die
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 5V
  • ВГС (Макс) +6V, -4V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 2.1 nC @ 5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 258 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE

Инвентаризация: 52011

GANFET N-CH 100V 18A DIE

Инвентаризация: 102469

GANFET N-CH 100V 8.2A DIE

Инвентаризация: 94617

TRANS GAN 200V DIE 43MOHM

Инвентаризация: 18274

GANFET N-CH 80V 1.7A DIE

Инвентаризация: 24040

GANFET N-CH 100V DIE

Инвентаризация: 15356

Top