- Модель продукта EPC2203
- Бренд EPC
- RoHS 1
- Описание GANFET N-CH 80V 1.7A DIE
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс Die
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 1.7A (Ta)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 80mOhm @ 1A, 5V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 600µA
- Пакет устройств поставщика Die
- Оценка Automotive
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 5V
- ВГС (Макс) +5.75V, -4V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 80 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 0.83 nC @ 5 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 88 pF @ 50 V
- Квалификация AEC-Q101
Сопутствующие товары
GANFET N-CH 60V 1.7A DIE
Инвентаризация: 40896
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Инвентаризация: 24334
GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
Инвентаризация: 94617
GANFET 2N-CH 80V 28A DIE
Инвентаризация: 5983
GANFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
Инвентаризация: 14425
TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
Инвентаризация: 2698
TRANS GAN 80V .006OHM AECQ101
Инвентаризация: 25981
TRANSGAN 80V.011OHM AECQ101 9BGA
Инвентаризация: 35830
