Технические детали

• Пакет/кейс 3-XFDFN
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора P-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 3.4A (Ta)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 78mOhm @ 500mA, 8V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 810mW (Ta)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 1.2V @ 250µA
• Пакет устройств поставщика X4-DSN1006-3
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.8V, 8V
• ВГС (Макс) -12V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 1.6 nC @ 4.5 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 228 pF @ 10 V