Инвентаризация:45485

Технические детали

  • Пакет/кейс 3-XFDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Тип транзистора NPN
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 50mA
  • Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 10V
  • Частота – переход 300MHz
  • Пакет устройств поставщика X2-DFN0606-3
  • Оценка Automotive
  • Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 200 mA
  • Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 40 V
  • Мощность - Макс. 435 mW
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET N/P-CH 20V 0.75A 6DFN

Инвентаризация: 9036

MOSFET P-CH 20V 3.4A X4DSN1006-3

Инвентаризация: 26171

TRANS PNP 40V 0.2A 3DFN

Инвентаризация: 28078

Top