- Модель продукта NVMFS6H818NT1G
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS 1
- Описание MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2900
Технические детали
- Пакет/кейс 8-PowerTDFN, 5 Leads
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 20A (Ta), 123A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 20A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 3.8W (Ta), 136W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 190µA
- Пакет устройств поставщика 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
- Оценка Automotive
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 80 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 46 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3100 pF @ 40 V
- Квалификация AEC-Q101