- Модель продукта EPC2202
- Бренд EPC
- RoHS 1
- Описание GANFET N-CH 80V 18A DIE
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс Die
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 18A (Ta)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 17mOhm @ 11A, 5V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 3mA
- Пакет устройств поставщика Die
- Оценка Automotive
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 5V
- ВГС (Макс) +5.75V, -4V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 80 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 4 nC @ 5 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 415 pF @ 50 V
- Квалификация AEC-Q101
Сопутствующие товары
IC INVERTER 2CH 2-INP 6XSON
Инвентаризация: 4035
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Инвентаризация: 24334
GANFET N-CH 80V 1.7A DIE
Инвентаризация: 24040
TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
Инвентаризация: 2698
GANFET N-CH 80V 90A DIE
Инвентаризация: 60719
GANFET N-CH 100V 18A DIE
Инвентаризация: 153697
GANFET N-CH 100V DIE
Инвентаризация: 15356
TRANSGAN 80V.011OHM AECQ101 9BGA
Инвентаризация: 35830
MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223
Инвентаризация: 4061
