Инвентаризация:1812

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-220-3
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 5.2A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 800mOhm @ 3.1A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 50W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика TO-220AB
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 14 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 260 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC

Инвентаризация: 3568

MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB

Инвентаризация: 14006

MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB

Инвентаризация: 22729

MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB

Инвентаризация: 11134

MOSFET P-CH 200V 3.5A TO220AB

Инвентаризация: 5292

MOSFET P-CH 200V 11A TO220AB

Инвентаризация: 27454

IC INVERT SCHMITT 6CH 1IN 14SOIC

Инвентаризация: 4630

Top