- Модель продукта IRF630
- Бренд STMicroelectronics
- RoHS 1
- Описание MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:15506
Технические детали
- Пакет/кейс TO-220-3
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -65°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 9A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 400mOhm @ 4.5A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 75W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика TO-220
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 200 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 45 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 700 pF @ 25 V