Инвентаризация:2570

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerVDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 122mOhm @ 3.3A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 940mW (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика POWERDI3333-8
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 14.9 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 870.7 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333

Инвентаризация: 1621

MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333

Инвентаризация: 60281

MOSFET N-CH 100V PWRDI3333

Инвентаризация: 5900

MOSFET N-CH 100V PWRDI3333

Инвентаризация: 4289

MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP

Инвентаризация: 33406

MOSFET N-CH 100V 3.2A/20A 8PQFN

Инвентаризация: 34216

MOSFET N-CH 100V 18A PPAK1212-8

Инвентаризация: 16421

Top