Инвентаризация:4376

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerVDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 50A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 3.6A, 4.5V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 2W (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1.2V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PowerDI3333-8
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 2.5V, 4.5V
  • ВГС (Макс) ±10V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 103 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3350 pF @ 10 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 20V 30A/50A 8DFN

Инвентаризация: 135800

MOSFET P-CH 20V 76A 8VSON

Инвентаризация: 52297

MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333

Инвентаризация: 710

MOSFET P-CH 20V 50A POWERDI3333

Инвентаризация: 1900

P-CHANNEL MOSFET, DFN3333

Инвентаризация: 13800

Top