- Модель продукта IPP60R080P7XKSA1
- Бренд IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- Описание MOSFET N-CH 650V 37A TO220-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Пакет/кейс TO-220-3
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 37A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 80mOhm @ 11.8A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 129W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 590µA
- Пакет устройств поставщика PG-TO220-3
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 51 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2180 pF @ 400 V