- Модель продукта IPB060N15N5ATMA1
- Бренд IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- Описание MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 136A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 6mOhm @ 68A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 250W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4.6V @ 180µA
- Пакет устройств поставщика PG-TO263-7-3
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 8V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 150 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 68 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 5300 pF @ 75 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 60V 340MA SOT23
Инвентаризация: 26068
MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON7
Инвентаризация: 8831
N200V,RD(MAX)<850M@10V,RD(MAX)<9
Инвентаризация: 826
MOSFET N-CH ESD 200V 1.7A SOT-23
Инвентаризация: 42000
MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7
Инвентаризация: 1390
MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Инвентаризация: 827
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Инвентаризация: 12009
