Инвентаризация:15069

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 64A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 32A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 46W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.3V @ 20µA
  • Пакет устройств поставщика PG-TDSON-8-6
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 13 nC @ 4.5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1800 pF @ 30 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 30V 24A 8DFN

Инвентаризация: 224575

MOSFET N-CH 60V 15A/64A TDSON

Инвентаризация: 710

MOSFET N-CHANNEL 60V 47A 8TDSON

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 60V 13A/57A TDSON-8

Инвентаризация: 16892

MOSFET N-CH 60V 32.4A/60A PPAK

Инвентаризация: 5379

MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252

Инвентаризация: 3600

Top