Инвентаризация:2210

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 15A (Ta), 64A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 32A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 2.5W (Ta), 46W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.3V @ 20µA
  • Пакет устройств поставщика PG-TDSON-8-6
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 13 nC @ 4.5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1800 pF @ 30 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CHANNEL 60V 64A 8TDSON

Инвентаризация: 13569

MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSON

Инвентаризация: 11918

DIODE ZENER 6.2V 250MW SOT23-3

Инвентаризация: 92480

MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8

Инвентаризация: 41854

Top