Технические детали

• Пакет/кейс 9-UFBGA, DSBGA
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора P-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 5A (Ta)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 5.7mOhm @ 2A, 4.5V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 1.7W (Ta)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 1.05V @ 250µA
• Пакет устройств поставщика 9-DSBGA
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 2.5V, 4.5V
• ВГС (Макс) -6V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 8 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 14.6 nC @ 4.5 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2275 pF @ 4 V