Инвентаризация:6978

Технические детали

  • Пакет/кейс 3-XFDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2.3A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 64mOhm @ 500mA, 8V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 500mW (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1.2V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 3-PICOSTAR
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.8V, 8V
  • ВГС (Макс) 10V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 2.7 nC @ 4.5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 347 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 30V 2.3A 3PICOSTAR

Инвентаризация: 6680

MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR

Инвентаризация: 53115

MOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGA

Инвентаризация: 14921

MOSFET P-CH 20V 1.6A 3PICOSTAR

Инвентаризация: 14318

IC INVERTER 1CH 1-INP 4X2SON

Инвентаризация: 9188

Top