Инвентаризация:23567

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerVDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 21A (Ta), 34A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 6.2mOhm @ 20A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 5W (Ta), 43W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.2V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 8-DFN-EP (3x3)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 45 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1650 pF @ 30 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 30V 30A/34A 8DFN

Инвентаризация: 15601

TRANS NPN 40V 0.2A SOT323

Инвентаризация: 37620

MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8

Инвентаризация: 49732

Top