Инвентаризация:17101

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerVDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 30A (Ta), 34A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 20A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 5W (Ta), 28W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.1V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 8-DFN-EP (3x3)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 35 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1835 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 30V 32A/85A 8DFN

Инвентаризация: 41758

MOSFET N-CH 60V 21A/34A 8DFN

Инвентаризация: 22067

MOSFET P-CH 30V 21A/34A 8DFN

Инвентаризация: 8022

MOSFET N-CH 30V 23A/32A 8DFN

Инвентаризация: 4158

MOSFET N-CH 40V 22A/30A 8DFN

Инвентаризация: 0

N

Инвентаризация: 2965

MOSFET N-CH 30V 22A PWRDI3333

Инвентаризация: 5588

Top