- Модель продукта RF4E100AJTCR
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS 1
- Описание MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:13249
Технические детали
- Пакет/кейс 8-PowerUDFN
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 10A (Ta)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 12.4mOhm @ 10A, 4.5V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 2W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1.5V @ 1mA
- Пакет устройств поставщика HUML2020L8
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V
- ВГС (Макс) ±12V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 13 nC @ 4.5 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1460 pF @ 15 V