Инвентаризация:73730

Технические детали

  • Пакет/кейс 6-UDFN Exposed Pad
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 15A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 11mOhm @ 5A, 4.5V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 2W (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика U-DFN2020-6 (Type F)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.8V, 4.5V
  • ВГС (Макс) ±8V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 12 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 44 nC @ 8 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1860 pF @ 10 V

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

Инвентаризация: 122897

MOSFET P-CH 12V 15A 6UDFN

Инвентаризация: 0

MOSFET P-CH 30V 16.9A/35A PPAK

Инвентаризация: 18544

Top