Инвентаризация:10812

Технические детали

  • Пакет/кейс 4-PowerTSFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 21A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 99mOhm @ 5.9A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 128W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 590µA
  • Пакет устройств поставщика PG-VSON-4
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 45 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2140 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 75V 100A 8PQFN

Инвентаризация: 6026

MOSFET N-CH 650V 28A 4VSON

Инвентаризация: 3684

Top