Технические детали

• Пакет/кейс 8-PowerTDFN
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора N-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 100A (Tc)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 50A, 10V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 830mW (Ta), 104.2W (Tc)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 4.5V @ 250µA
• Пакет устройств поставщика 8-PQFN (5x6)
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
• ВГС (Макс) ±20V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 75 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 100 nC @ 10 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 5915 pF @ 37.5 V