- Модель продукта IPG16N10S461ATMA1
- Бренд IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- Описание MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:15898
Технические детали
- Пакет/кейс 8-PowerVDFN
- Тип монтажа Surface Mount
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Мощность - Макс. 29W
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 100V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 16A
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 490pF @ 25V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 61mOhm @ 16A, 10V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 7nC @ 10V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 3.5V @ 9µA
- Пакет устройств поставщика PG-TDSON-8-4
- Оценка Automotive
- Квалификация AEC-Q101