Инвентаризация:10849

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerVDFN
  • Тип монтажа Surface Mount, Wettable Flank
  • Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Мощность - Макс. 29W
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 100V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 16A
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 490pF @ 25V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 61mOhm @ 16A, 10V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 7nC @ 10V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3.5V @ 9µA
  • Пакет устройств поставщика PG-TDSON-8-10
  • Оценка Automotive
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON

Инвентаризация: 14398

MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON

Инвентаризация: 39512

Top