Инвентаризация:17512

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 11A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 360mOhm @ 7.5A, 15V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 50W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3.5V @ 1.2mA
  • Пакет устройств поставщика TO-263-7
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V
  • ВГС (Макс) +18V, -8V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 900 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 9.5 nC @ 15 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 150 pF @ 600 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 900V 11.5A TO247-3

Инвентаризация: 8347

SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7

Инвентаризация: 1213

SIC MOSFET N-CH 19A TO263-7

Инвентаризация: 1059

SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3

Инвентаризация: 8523

SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7

Инвентаризация: 3651

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

Инвентаризация: 978

Top