Инвентаризация:5130

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerVDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 7.2A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 25mOhm @ 3A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 810mW (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1.8V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика POWERDI3333-8
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 33.7 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1643 pF @ 20 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333

Инвентаризация: 2623

MOSFET P-CH 40V 4.65A PWRDI3333

Инвентаризация: 24359

MOSFET P-CH 40V 4.65A PWRDI3333

Инвентаризация: 5840

MOSFET P-CH 40V 7.2A PWRDI3333-8

Инвентаризация: 4705

MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8

Инвентаризация: 2969

MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333

Инвентаризация: 1845

40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Инвентаризация: 0

Top