Инвентаризация:4123

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerVDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 10.3A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 13mOhm @ 10A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 1W (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика POWERDI3333-8
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 68.6 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3426 pF @ 20 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON

Инвентаризация: 111646

MOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333

Инвентаризация: 1600

MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN

Инвентаризация: 34638

MOSFET P-CH 60V 2.2A TO236AB

Инвентаризация: 14059

AUTOMOTIVE SENSOR HUMID/TEMP 1.5

Инвентаризация: 554

Top