Инвентаризация:10219

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 50A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 14.5mOhm @ 10A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 2.8W (Ta), 83W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3.6V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 6V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 21 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1680 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 80V 49A TDSON

Инвентаризация: 22013

MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3

Инвентаризация: 42487

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

Инвентаризация: 114762

MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.22A, 50V

Инвентаризация: 57976

MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3

Инвентаризация: 365488

MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON

Инвентаризация: 2291

Top