Инвентаризация:23513

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 49A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 11.7mOhm @ 25A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3.8V @ 22µA
  • Пакет устройств поставщика PG-TDSON-8-7
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 6V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 80 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 18 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1300 pF @ 40 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 80V 100A TDSON

Инвентаризация: 12829

MOSFET N-CH 80V 100A TDSON

Инвентаризация: 16165

MOSFET N-CH 80V 74A TDSON

Инвентаризация: 31058

Top