Инвентаризация:44744

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 170mA (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 8Ohm @ 170mA, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 360mW (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 20µA
  • Пакет устройств поставщика PG-SOT23
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 1.5 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 19 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3

Инвентаризация: 314112

MOSFET N-CH 40V 32/100A SUPERSO8

Инвентаризация: 20561

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

Инвентаризация: 267439

MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3

Инвентаризация: 42487

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

Инвентаризация: 114762

MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.22A, 50V

Инвентаризация: 57976

MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3

Инвентаризация: 133208

MOSFET SOT-23 P Channel 50V

Инвентаризация: 240000

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

Инвентаризация: 118350

50V 130MA 300MW 10R@5V,100MA 2V@

Инвентаризация: 0

Top