Инвентаризация:134708

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 130mA (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 8Ohm @ 150mA, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 225mW (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика SOT-23-3 (TO-236)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 50 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 1.3 nC @ 5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 73 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

Инвентаризация: 0

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

Инвентаризация: 95454

MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.19A, 100

Инвентаризация: 8476

MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3

Инвентаризация: 42487

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

Инвентаризация: 114762

MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.22A, 50V

Инвентаризация: 57976

MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3

Инвентаризация: 10

MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3

Инвентаризация: 133208

MOSFET SOT-23 P Channel 50V

Инвентаризация: 240000

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

Инвентаризация: 118350

Top