Инвентаризация:7544

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-261-4, TO-261AA
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2.9A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 130mOhm @ 2.9A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 1.8W (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 1mA
  • Пакет устройств поставщика PG-SOT223-4
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 33 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 875 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4

Инвентаризация: 2003

MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4

Инвентаризация: 7435

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Инвентаризация: 4957

IC TRANSLATOR BIDIRECTIONAL SM8

Инвентаризация: 12602

MOSFET P-CH 60V 3A SOT223

Инвентаризация: 5482

MOSFET P-CH 60V 3A SOT223

Инвентаризация: 58546

Top