Инвентаризация:60046

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-261-4, TO-261AA
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 3A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 125mOhm @ 2.2A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 2W (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика SOT-223-3
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 17.7 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 637 pF @ 30 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3

Инвентаризация: 42487

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

Инвентаризация: 114762

MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.22A, 50V

Инвентаризация: 57976

MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6

Инвентаризация: 13660

SOT-23, MOSFET

Инвентаризация: 110496

MOSFET N-CH 40V 890MA TO243AA

Инвентаризация: 14040

Top