Технические детали

• Пакет/кейс 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Тип монтажа Surface Mount
• Тип транзистора 1 NPN, 1 PNP
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Мощность - Макс. 653mW
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 3A
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 40V
• Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 115mV @ 200mA, 2A
• Ток-отсечка коллектора (макс.) 100nA (ICBO)
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 180 @ 1A, 2V
• Частота – переход 100MHz
• Пакет устройств поставщика 8-SOIC