Технические детали

• Пакет/кейс 8-WDFN Exposed Pad
• Тип монтажа Surface Mount
• Тип транзистора 1 NPN, 1 PNP
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Мощность - Макс. 1.7W
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 4A, 3A
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 50V, 40V
• Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 320mV @ 200mA, 4A / 370mV @ 250mA, 2.5A
• Ток-отсечка коллектора (макс.) 100nA
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 100 @ 2A, 2V / 60 @ 1.5A, 2V
• Частота – переход 165MHz, 190MHz
• Пакет устройств поставщика DFN3020B-8