Технические детали

• Пакет/кейс 3-XDFN Exposed Pad
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора P-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2.9A (Ta)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 85mOhm @ 2.9A, 4.5V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 317mW (Ta), 8.33W (Tc)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
• Пакет устройств поставщика DFN1010D-3
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.2V, 4.5V
• ВГС (Макс) ±8V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 608 pF @ 10 V