Инвентаризация:71701

Технические детали

  • Пакет/кейс 3-XDFN Exposed Pad
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 3.2A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 72mOhm @ 3.2A, 4.5V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 317mW (Ta), 8.33W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика DFN1010D-3
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.2V, 4.5V
  • ВГС (Макс) ±8V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 12 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 634 pF @ 6 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 20V 3A SOT23

Инвентаризация: 235988

MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010D-3

Инвентаризация: 3252

MOSFET N-CH 20V 3.2A DFN1010D-3

Инвентаризация: 45658

Top