Технические детали

• Пакет/кейс DirectFET™ Isometric ME
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора N-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 209A (Tc)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.25mOhm @ 123A, 10V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 104W (Tc)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 150µA
• Пакет устройств поставщика DirectFET™ Isometric ME
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
• ВГС (Макс) ±20V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 111 nC @ 4.5 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 6904 pF @ 25 V