Технические детали

• Пакет/кейс DirectFET™ Isometric L8
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора N-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 33A (Ta), 200A (Tc)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.5mOhm @ 120A, 10V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 3.3W (Ta), 125W (Tc)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
• Пакет устройств поставщика DirectFET™ Isometric L8
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
• ВГС (Макс) ±20V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 300 nC @ 10 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 12320 pF @ 25 V