- Модель продукта SPW20N60C3FKSA1
- Бренд IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- Описание MOSFET N-CH 650V 20.7A TO247-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс TO-247-3
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 20.7A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 190mOhm @ 13.1A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 208W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 3.9V @ 1mA
- Пакет устройств поставщика PG-TO247-3-1
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 114 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2400 pF @ 25 V
Сопутствующие товары
IGBT 1200V 40A TO247-3
Инвентаризация: 731
MOSFET N-CH 650V 60A TO247-3
Инвентаризация: 1967
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3
Инвентаризация: 5975
MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3
Инвентаризация: 675
MOSFET N-CH 650V 47A TO247-3
Инвентаризация: 1753
MOSFET N-CH 500V 17A TO247-3
Инвентаризация: 607
N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ.,
Инвентаризация: 190
